المنتجات

المنزل > المنتجات > وحدات IGBT 62mm > DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم

الفئات

IGBT منفصلة

(2)

الاتصالات

الاتصالات: Mr. Zhou

الهاتف: 86-1360-528-8329

اتصل بنا الآن

راسلنا بالبريد الإلكتروني

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم

Name: DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم
Brand: DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم
SKU: SPS450B12G6M4
Rating: 4.7 (143 reviews)

تفاصيل المنتج

رقم الموديل: SPS450B12G6M4

شروط الدفع والشحن

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز: 
                                                H وحدة Mosfet الجسر 1200V,450A H وحدات Mosfet الجسر,وحدة ODM Mosfet, 450A H Bridge Mosfet Module, ODM Mosfet Module
                              

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم

القوة الصلبة DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0.

1200 فولت 450A IGBT نصف الجسر الوحدة

الخصائص:

□ تقنية 1200 فولت Trench + Field Stop

ديودات حرة مع استعادة عكسية سريعة وناعمة

□ V_{CE ((sat)}مع معامل حرارة إيجابي

□ انخفاض خسائر التبديل

□ صعوبة الدور القصير

نموذجيالتطبيقات:

□ التسخين القياسي

□ لحام

□ تطبيق التبديل عالية التردد

حزمة IGBT

البند	الرمز	الشروط		القيم			الوحدة
فولتاج اختبار العزل	(فيسول)	RMS، f = 50 هرتز، t = 1 دقيقة		4.0			كيلو فولت
مادة لوحة قاعدة الوحدة				كيو
العزل الداخلي		(الفئة 1 ، IEC 61140) العزل الأساسي (الفئة 1 ، IEC 61140)		ال₂أوه₃
مسافة الزحف	-أرجوك	المحطة إلى المغسلة الحرارية		29.0			ملم
	-أرجوك	المحطة إلى المحطة		23.0
التخليص	واضح	المحطة إلى المغسلة الحرارية		23.0			ملم
	واضح	المحطة إلى المحطة		11.0
مؤشر تتبع مقارن	CTI			> 400

البند	الرمز	الشروط		القيم			الوحدة
				دقيقة.	-أجل.	(ماكس)
وحدة الحثية الضالة	LsCE				20		nH
المقاومة الرصاصية للوحدة، المحطات - رقاقة	RCC+EE		T_ج= 25 درجة مئوية		0.70		mΩ
درجة حرارة التخزين	Tstg			-40		125	°C
عزم التثبيت لتركيب الوحدة	M5			3.0		6.0	Nm
عزم الدوران للاتصال النهائي	M6			2.5		5.0	Nm
الوزن	G				320		g

الحد الأقصى IGBT مقيّم القيم

البند	الرمز	الشروط		القيم	الوحدة
التيار الكهربائي لجهاز الجمع	الـ VCES		T_vj= 25 درجة مئوية	1200	V
حد أقصى لجهد إرسال البوابة	VGES			± 20	V
الجهد الانتقالي من البوابة	VGES	t_ب≤10μs، D=0.01		±30	V
التيار المستمر في مجمع التيار المباشر	أنا_ج		T_ج= 25 درجة مئوية	675	أ
التيار المستمر في مجمع التيار المباشر	أنا_ج		T_ج= 100 درجة مئوية	450	أ
التيار الكولكتوري النبض،tp محدودة من قبل T_jmax	ICpulse			900	أ
تبديد الطاقة	Ptot			1875	W

الخصائص القيم

البند	الرمز	الشروط		القيم			الوحدة
البند	الرمز	الشروط		دقيقة.	-أجل.	(ماكس)	الوحدة
فولتاج التشبع بين الجمع والمنبع	VCE ((sat)	أنا_ج=450A، V_جنرال=15 فولت	T_vj= 25 درجة مئوية		1.50	1.80	V
			T_vj= 125 درجة مئوية		1.65
			T_vj=150°C		1.70
الجهد الحدودي للبوابة	VGE ((م))	V_{المواصفات}= V_جنرال، أنا_ج= 18mA		5.0	5.8	6.5	V
التيار القاطع بين جهاز الجمع والجهاز المصدر	المياه	V_{المواصفات}= 1200 فولت، V_جنرال=0V	T_vj= 25 درجة مئوية			100	μA
التيار القاطع بين جهاز الجمع والجهاز المصدر	المياه	V_{المواصفات}= 1200 فولت، V_جنرال=0V	T_vj=150°C			5	mA
تيار تسرب من الناقل	الـ IGES	V_{المواصفات}=0V،V_جنرال= ± 20 فولت، T_vj= 25 درجة مئوية		-200		200	nA
رسوم البوابة	ق_G	V_{المواصفات}=600 فولت، I_ج= 450A ، V_جنرال= ± 15 فولت			5.0		μC
سعة الدخول	سيس	V_{المواصفات}= 25 فولت، V_جنرال=0V، f =100kHz			90.0		nF
قدرة الإنتاج	كوز				2.84
سعة نقل العكسية	كريس				0.81
وقت تأخير التشغيل، الحمل التحفيزي	(تد))	V_{سي سي}=600 فولت،I_ج=450A R_G=1.8Ω، V_جنرال=15 فولت	T_vj= 25 درجة مئوية		168		ns
			T_vj= 125 درجة مئوية		172		ns
			T_vj=150°C		176		ns
وقت الارتفاع، الحمل التحفيزي	t_ر		T_vj= 25 درجة مئوية		80		ns
			T_vj= 125 درجة مئوية		88		ns
			T_vj=150°C		92		ns
وقت تأخير الإيقاف، الحمل التحفيزي	(مغلق)	V_{سي سي}=600 فولت،I_ج=450A R_G=1.8Ω، V_جنرال=15 فولت	T_vj= 25 درجة مئوية		624		ns
			T_vj= 125 درجة مئوية		668		ns
			T_vj=150°C		672		ns
وقت السقوط، الحمل التحفيزي	t_f		T_vj= 25 درجة مئوية		216		ns
			T_vj= 125 درجة مئوية		348		ns
			T_vj=150°C		356		ns
فقدان الطاقة عند التشغيل لكل نبض	إيون	V_{سي سي}=600 فولت،I_ج=450A R_G=1.8Ω، V_جنرال=15 فولت	T_vj= 25 درجة مئوية		17.2		م.ج.
			T_vj= 125 درجة مئوية		27.1		م.ج.
			T_vj=150°C		30.0		م.ج.
أطفئ خسارة الطاقة لكل نبض	أوف		T_vj= 25 درجة مئوية		52.3		م.ج.
			T_vj= 125 درجة مئوية		64.3		م.ج.
			T_vj=150°C		67.1		م.ج.
بيانات SC	مركز الدراسات الداخلية	V_جنرال≤15 فولت، V_{سي سي}=800 فولت	tp≤10μs T_vj=150°C			2000	أ
المقاومة الحرارية لـ IGBT، الحافظة	RthJC					0.08	كيلوغرام
درجة حرارة العمل	TJop			-40		150	°C

الديود أقصى مقيّم القيم

البند	الرمز	الشروط		القيم	الوحدة
الجهد العكسي المتكرر	VRRM		T_vj= 25 درجة مئوية	1200	V
التيار المستمر إلى الأمام	أنا_F			450	أ
التيار النبضي للديود،tp محدود بـ T_Jmax	IFpulse			900	أ

الخصائص القيم

البند	الرمز	الشروط		القيم			الوحدة
				دقيقة.	-أجل.	(ماكس)
الجهد الأمامي	V_F	أنا_F= 450A ، V_جنرال=0V	T_vj= 25 درجة مئوية		2.30	2.70	V
			T_vj= 125 درجة مئوية		2.50
			T_vj=150°C		2.50
وقت استعادة العكس	trr	أنا_F=450A ب_F/dt=-5600A/μs (T_vj= 150 درجة مئوية) V_R=600 فولت V_جنرال= 15 فولت	T_vj= 25 درجة مئوية		134		ns
			T_vj= 125 درجة مئوية		216
			T_vj=150°C		227
ذروة التيار العكسي للاسترداد	إير ار ام		T_vj= 25 درجة مئوية		317		أ
			T_vj= 125 درجة مئوية		376
			T_vj=150°C		379
رسوم استرداد عكسية	QRR		T_vj= 25 درجة مئوية		40.5		μC
			T_vj= 125 درجة مئوية		63.2
			T_vj=150°C		65.4
فقدان الطاقة العكسية للإنقاذ لكل نبض	(إريك)		T_vj= 25 درجة مئوية		15.9		م.ج.
			T_vj= 125 درجة مئوية		27.0
			T_vj=150°C		28.1
المقاومة الحرارية للديودات، الحافظة	RthJCD					0.13	كيلوغرام
درجة حرارة العمل	TJop			-40		150	°C

الناتج خصائص ((نموذجية) الناتج الخصائص (الخصائص النمطية)

أنا_ج= f (V_{المواصفات}) أنا_ج= f (V_{المواصفات}) T_vj= 150°C

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 1

IGBT

النقل الخصائص ((النموذجية) التبديل الخسائر IGBT(نموذجية)

أنا_ج= f (V_جنرال) E = f (R_G)

V_{المواصفات}= 20 فولت فولت_جنرال= ± 15 فولت، I_ج= 450A، V_{المواصفات}= 600 فولت

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 2

IGBT RBSOA

التبديل الخسائر IGBTعكسياً التحيز آمنة تعمل المنطقة ((RBSOA)

E = f (I_ج) أنا_ج=f (V_{المواصفات})

V_جنرال= ± 15 فولت، R_G= 1.8Ω ، V_{المواصفات}= 600 فولت فولت_جنرال= ± 15 فولت، R_غوف= 3.3Ω، T_vj= 150°C

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 3

نموذجي السعة كما أ الوظيفة من الجهاز المجمع بوابة الجهد التكلفة(نموذجية)

C = f (V)_{المواصفات}) V_جنرال= f (Q_G)

f = 100 كيلو هرتز، V_جنرال= 0V I_ج= 450A، V_{المواصفات}= 600 فولت

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 4

IGBT

IGBT عابرة الحرارة عائق كما أ الوظيفة من النبض العرض إلى الأمام الخصائص من الديود (معتاد)

Zth ((j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 5

التبديل الخسائر الديود (معتاد) التبديل الخسائر الديود (معتاد)

E_ريك= f (R_G)_ريك= f (I_F)

أنا_F= 450A، V_{المواصفات}= 600 فولت R_G= 1.8Ω، V_{المواصفات}= 600 فولت

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 6

الديود عابرة الحرارة عائق كما أ الوظيفة من النبضالعرض

Zth ((j-c) = f (t)

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 7

إن جهاز IGBT 1200 فولت (الترانزستور ثنائي القطب معزول) هو جهاز أشباه الموصلات ذو الجهد القياسي 1200 فولت.هذا النوع من الجهاز يستخدم عادة في التطبيقات عالية الجهد مثل محولات الطاقة ومحركات المحرك.

النقاط الرئيسية:

1تقييم الجهد (1200 فولت): يشير إلى الحد الأقصى للجهد الذي يمكن أن يتعامل معه IGBT. مناسب للتطبيقات التي تتطلب التحكم في الجهد العالي ،مثل محركات المحرك عالية الطاقة ومصادر الطاقة غير المتقطعة.

2التطبيقات: IGBTs 1200V شائعة في مجالات الطاقة العالية مثل محركات المحرك الصناعية ، ومصادر الطاقة غير المتقطعة (UPS) ، وأنظمة الطاقة المتجددة ، إلخ.عندما تكون هناك حاجة إلى التحكم الدقيق في الجهد العالي.

3سرعة التبديل: يمكن لـ IGBTs التبديل بسرعة ، مما يجعلها مناسبة للتطبيقات التي تتطلب التبديل عالي التردد.تعتمد خصائص التبديل المحددة على النموذج والشركة المصنعة.

4متطلبات التبريد:** مثل العديد من أجهزة الكهرباء الكهربائية، IGBTs توليد الحرارة أثناء التشغيل.غالبا ما تكون مطلوبة لضمان أداء الجهاز وموثوقيته.

5ورقة بيانات: للحصول على معلومات مفصلة عن IGBT 1200V المحدد ، من الضروري الرجوع إلى ورقة بيانات الشركة المصنعة. توفر ورقة بيانات مواصفات فنية شاملة ،الخصائص الكهربائية، ومبادئ توجيهية للتطبيق والإدارة الحرارية.

عند استخدام IGBT 1200V في الدائرة أو النظام ، يجب على المصممين النظر في عوامل مثل متطلبات محرك البوابة ، آليات الحماية ،والاعتبارات الحرارية لضمان التشغيل الصحيح والموثوق به.

الدوائر مخطط العنوان

الحزمة الخطوط العريضة

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم 9

الأبعاد (ملم)

ملم

Tags:

وحدات IGBT 34mm

وحدات IGBT 62mm

وحدات IGBT EconoDual3

وحدات IGBT EasyPIM

وحدات IGBT EconoPack

وحدات IGBT EconoPIM

وحدات السيارات

المخلوقات المختلطة لـ SiC

MOSFET منفصلة

IGBT منفصلة

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H الجسر الموسفيت الوحدة 1200 فولت 450A أودم

H وحدة Mosfet الجسر 1200V,450A H وحدات Mosfet الجسر,وحدة ODM Mosfet

450A H Bridge Mosfet Module

ODM Mosfet Module

وحدة الطاقة IGBT,H وحدة IGBT الجسر,وحدة IGBT ذات الطاقة العالية,

H وحدة Mosfet الجسر 1200V,450A H وحدات Mosfet الجسر,وحدة ODM Mosfet,

High Power IGBT Module

200A 1200V IGBT نصف الجسر وحدات 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

وحدات IGBT المخصصة 62mm خسائر التبديل المنخفضة DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

1200 فولت 150A H Bridge IGBT Module DS-SPS150B12G6H4-S04020033 لآلات اللحام

شاسية جبل Sic MOSFET وحدة الطاقة 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

وحدات IGBT البيضاء مكون إلكتروني 62 ملم DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1200 فولت 300A SiC MOSFET وحدة نصف الجسر نصف الموصل DS-SPS300MB12G6S-S04310004